銳隆科研市集 SOI絕緣矽晶圓
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SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的矽）是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。SOI晶圓是一種類似三明治(Sandwitch)的夾層式結構，一共有三層；包括頂層（器件層），中間的埋氧層（為絕緣SiO2層）和底層的襯底（體矽）。
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商品介紹
尺寸：4吋/6吋/8吋
晶向：N100/N111/P100/P111
頂層厚度：50nm~2um；2um~500um+
埋氧層厚度：50nm~1um；1um~4um
特性:
1.低壓低功耗特點：便攜式電子設備，射頻集成靈巧功率器件及其它要求功耗低、散熱快的領域。
2.應用於惡劣環境：高溫器件、高壓器件或其它空間應用。
3.光通信和MEMS應用：作為一種結構材料，還廣泛應用於製作微機電系統(MEMS)器件。
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