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銳隆科研市集 單晶氧化鎵晶體GaO超寬禁帶半導體 高品質晶體材料
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氧化鎵(β-Ga2O3)是一種超寬禁帶氧化物半導體材料，具有極高的擊穿場強和高紫外透過率，在高耐壓功率器件、紫外探測器等領域具有重要的應用。
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商品介紹
晶向：<100>。
尺寸：5*5mm。
厚度：500±50um。
拋光面粗糙度：Ra<1nm。
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